檢索結果：共19筆資料 檢索策略： "Ping-Hui Yeh".eadvisor (精準) and ckeyword.raw="氮化鎵"
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在發光二極體(Light emitting diode, LED)中，串聯電阻造成額外的能量損耗並產生熱，為降低串聯電阻值，本論文先建立LED元件電路模型，依據電流擴散路徑，分析總串聯電阻分別為何處…
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氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
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由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易，容易造成低增益及高損耗的現象，因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構，利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構，藉此定義出電流…
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV （GaN）調變至0.7eV （InN），其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜，所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…
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本研究旨在探討乾式以及濕式蝕刻對於VCSEL共振腔端面的影響。透過兩種商用矽基板磊晶生長的氮化鎵LED晶圓，我們成功研製出了改善共振腔端面粗糙度的方法，使用KOH和UVO製程，成功將共振腔端面的表面…
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由於希望在未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板都是矽，最近氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。而在過去，本實驗室是以氮化鎵磊晶在藍寶石…
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發光二極體LED (Light Emitting Doide)其用途及性能都極為廣泛，但發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題，為了改善這問題，而利用覆晶封裝及雷射剝離藍寶石基…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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發光二極體(Light Emitting Diode, LED)的壽命及性能較傳統光源優異許多，但是散熱的問題一直是影響發光二極體發光效率與壽命的關鍵原因之一。而氮化鎵材料為了降低生產成本，必須磊晶…